Valmistajan tuotenumero:
TSM60NB900CH C5G
Product Overview
Valmistaja:
Taiwan Semiconductor Corporation
Osan numero:
TSM60NB900CH C5G-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 36.8W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Varasto:
55 Kpl Uusi Alkuperäinen Varastossa
12898526
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
TSM60NB900CH C5G Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Taiwan Semiconductor
Paketti
Tube
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
4A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
900mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
9.6 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
315 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
36.8W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-251 (IPAK)
Pakkaus / Kotelo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Perustuotenumero
TSM60
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
75
Muut nimet
TSM60NB900CH C5G-DG
TSM60NB900CHC5G
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vaihtoehtoiset mallit
Osanumero
STU6N60M2
VALMISTAJA
STMicroelectronics
Saatavilla oleva määrä
4
DiGi OSA NUMERO
STU6N60M2-DG
Yksikköhinta
0.46
VAIHTOEHTO TYYPPI
Similar
Osanumero
TSM60NB900CH
VALMISTAJA
Taiwan Semiconductor Corporation
Saatavilla oleva määrä
0
DiGi OSA NUMERO
TSM60NB900CH-DG
Yksikköhinta
1.10
VAIHTOEHTO TYYPPI
Parametric Equivalent
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
TSM070NB04CR RLG
MOSFET N-CH 40V 15A/75A 8PDFN
TSM2NB65CH X0G
MOSFET N-CHANNEL 650V 2A TO251
DMN4035LQ-7
MOSFET N-CH 40V 4.6A SOT23
